国家科学院。
微电子研究所。
当杨玄赶到地方的时候,被面前的景象吓了一跳。
又是上一次的课堂,又是上一次的时间点。
可是,这一次,却惊动了一大批科学院的人才。
国家科学院有上百个研究所,分散在全国各地,现在杨玄目光所及,感觉位于帝都的研究所人员几乎都到齐了。
教授、专家、院士、还有诸多科学院的精英。
微电子研究所主任吴德欣吴老,率先迎了上来,握着杨玄的手,呵呵直笑。
“小杨,新闻看了吧?人家米国佬又开始吓唬咱了?”
“看了看了。”
杨玄极为谦卑的和面前每一个德高望重的老先生握手问好。
科学院副院长林汲泉最后一个握住杨玄的手:“魔都微电子是国家企业,米国佬这些年,一心想搞技术上的新殖民。”
“小杨,我知道深市的玄晖科技和麒麟半导体,是你家做的。”
“但是,你知道吗?全球最大的光刻机公司ASML,背后就是米国。”
“资本国际集团和贝莱德集团,把持着ASML,现在在光刻领域,全球所有行业,都得看他们的脸色……”
“咱们国家,以前看别人脸色,看的太多了。”
“你如果能有这方面的想法,我代表科学院,欢迎你的到来。”
林副院长年近七十了。
他们这一辈人,见证了国家这一路的艰难成长,见证了整个民族的慢慢崛起。
他们对洋鬼子,有着从骨子里迸发的仇恨和怒气。
“林老,我知道。”
杨玄每次来科学院,每次都惭愧的想找个地方藏起来。
他真的不是专业人才。
只不过是在前一世,因为华威通讯被米国制裁时,无聊之余,经常在网络上翻看光刻机的技术理论和设计方案。
看得多了,也就记住了。
要说优势,或许是因为杨玄站在十几年后的技术层面上,来回顾当下的技术瓶颈,就显得容易多了。
“诸位前辈、老师……”
杨玄双手抱拳,冲着一大群老教授老院士,惭愧道:“我今天还是从宏观概念上说一些想法,在这里的每一个人,不管是从年纪和专业知识,都是我的老师。”
“所以……杨玄接下来,就献丑了,如果说的不对的地方,诸位前辈多多包涵。”
这都是国之栋梁啊。
不管是处于国家的情怀,还是个人角度,杨玄真不敢卖弄。
人家兢兢业业一辈子,任劳任怨,毕生都在为国奉献。
而自己,重活一世罢了。
境界高度,相差太远。
哪怕身价几千亿,都不如这些国之功勋。
“好!好!小杨,你继续说就行了……”
吴德欣老教授带着近视镜,满脸慈祥的挥挥手,示意杨玄放松。
数百名科学院人才聚集在偌大的讲课场地内,头顶上的白炽灯多出来了十几根,光线明亮。
墙壁上的黑板,要比上次杨玄来时,扩大了许多。
一些上了年纪的教授专家,坐在最前排,年轻的向后站。
渐渐地。
整个场合安静下来,所有人将静静看着讲台上的杨玄,看着他手持粉笔,快速在黑板上绘图。
前面说过,光刻机的工序非常复杂。
其中不仅仅是激光器是核心技术,运载系统、激光系统、传感器、光学系统等其他几个方面,同样也是核心技术。
准分子激光器,只是基于其他技术达不到的情况下,作为杀手锏的存在。
但现在,杨玄希望,国产的激光器,最好所有环节配件都是自主研发。
连续用完两根粉笔,杨玄才将一台光刻机,解剖式的绘制在黑板上。
将里面的几个大型配件,逐一陈列分散开来。
“诸位老师,何兰的ASML,正在研发新一代的光刻机,既1900i型号。”
“但据我所知,1900i型光刻机,同样还是沿用了arf193nm光波,只是提高了激光切割尺寸。”
“也就是说,他们原来的配件并没有变化,只是将准分子激光器的功率提高了。”
“但ASML未来的光刻机,既euv光刻机,就是我黑板上画的这个样子……”
说着,杨玄从第一个开始讲起:“除激光技术之外,还有六大核心技术。”
“架构设计:与光学光刻公用平台,针对真空腔与反射式曝光系统开展系统设计。”
“全反射,非共轴光学系统。”
“高速、高精度运动台与控制技术。”
“大功率、高可靠性光源。”
“传输过渡腔体、控制污染与颗粒进入主真空腔。”
“传感器真空兼容性设计。”
“高真空性环境下的研究:既密封性设计、材料抑制释放污染。”
来科学院之前,杨玄没有准备相关的设计方案。
从而导致讲课的时候,很难像之前一样,有条不紊,逻辑清晰。
眼下,他只能绞尽脑汁,搜索自己前世2021年所看的所有关于光刻机的论文。
相信凭借十六年后的论文方案,对于提升当下的光刻机技术,帮助应该是极大的。
但这也不是杨玄的功劳
而是几十年来,光刻技术领域所有专家的结晶,从业者编写成论文,让杨玄有了装逼的砝码。
“小杨,你先主要讲讲,光学系统领域的问题。”
台下,光学研究中心主任眯着眼睛询问道:“从你上次讲完课,我们成立了一个课题小组,到目前,关于提高反射率的难题,始终没有功课。”
杨玄停顿了下,转身道:“老师,光学系统环境中水分子和碳氢化合物是导致反射率降低的主要原因。”
“这些水分子和碳氢化合物可能来源是材料表明的放气、泄漏和真空系统自身。”
“在高能量光照下水分子会氧化Mo/Si,碳氢化合物会分解,在反射镜表面沉积一层碳膜。”
“数据显示反射镜表面沉积0.3nm的氧化层便会导致约1%的反射率损失。”
“所以,您可以尝试,在Mo/Si层中加入Rh、Sr等材料;对每一层材料厚度做优化以及使用B4C作为保护层。”
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